Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4.5 A 650 V N, TO-252, IPD

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3856
Tillv. art.nr:
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-252

Serie

IPD

Fästetyp

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

210mΩ

Kanalläge

N

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction MOSFET complements the CoolMOS 7 offering for consumer applications. The CoolMOS PFD7 super junction MOSFET in a TO 252 DPAK package features RDS(on) of 2,000mOhm leading to low switching losses. An implemented fast body diode secures a robust device and in turn reduced bill-of material for the customer. Additionally, our industry-leading SMD package offering contributes to PCB space savings and simplifies manufacturing. This product family is tailored to ultrahigh power density as well as highest efficiency designs. The products primarily address ultrahigh density chargers, adapters and low power motor drives.

Wide range of RDS(on) values

Excellent commutation ruggedness

Low EMI

Broad package portfolio

BOM cost reduction and easy manufacturing

Robustness and reliability

Easy to select the right parts for design fine-tuning