Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 258-0632
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR8403TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
29 838,00 kr
(exkl. moms)
37 296,00 kr
(inkl. moms)
Lägg till 3000 enheter för att få fri frakt
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 januari 2028
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 9,946 kr | 29 838,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0632
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR8403TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.1mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 99W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 66nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.1mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 99W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 66nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon Specifically designed for automotive applications, this HEXFET power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in automotive applications and wide variety of other applications.
Advanced Process Technology
New Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free, RoHS Compliant
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 100 A 40 V HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 17 A 100 V Förbättring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 9.3 A 250 V Förbättring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 35 A 100 V Förbättring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 12 A 75 V Förbättring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 62 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 30 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 61 A 55 V HEXFET