Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 245 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ186E-T1_GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

72,80 kr

(exkl. moms)

91,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Försörjningsbrist
  • 1 844 kvar, redo att levereras
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1836,40 kr72,80 kr
20 - 9834,27 kr68,54 kr
100 - 19830,97 kr61,94 kr
200 - 49829,175 kr58,35 kr
500 +27,33 kr54,66 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
252-0316
Tillv. art.nr:
SQJQ186E-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

245A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0014mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.9mm

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

6.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Thin 1.9 mm height

relaterade länkar