Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 35.7 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SiS4608DN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 252-0286
- Tillv. art.nr:
- SIS4608DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 252-0286
- Tillv. art.nr:
- SIS4608DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 35.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | SiS4608DN | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.01mΩ | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 33.7W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.3mm | |
| Bredd | 3.3 mm | |
| Höjd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 35.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie SiS4608DN | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.01mΩ | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 33.7W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.3mm | ||
Bredd 3.3 mm | ||
Höjd 3.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.
TrenchFET Gen V power MOSFET
Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested