Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 45.9 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 252-0284
- Tillv. art.nr:
- SIS4604LDN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
9 225,00 kr
(exkl. moms)
11 532,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 3,075 kr | 9 225,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 252-0284
- Tillv. art.nr:
- SIS4604LDN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.01mΩ | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 33.7W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.3 mm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.01mΩ | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 33.7W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.3 mm | ||
Längd 3.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. N-Channel MOSFETs contain additional electrons which are free to move around. They are a more popular channel type. N-Channel MOSFETs work when a positive charge is applied to the gate terminal.
TrenchFET Gen V power MOSFET
Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested