Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 65.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

86,13 kr

(exkl. moms)

107,66 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 5 300 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 908,613 kr86,13 kr
100 - 4908,109 kr81,09 kr
500 - 9907,325 kr73,25 kr
1000 - 24906,899 kr68,99 kr
2500 +6,462 kr64,62 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
252-0271
Tillv. art.nr:
SIR1309DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

65.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PowerPAK SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.01mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

54nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

83W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

5.15 mm

Längd

6.15mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. P-Channel MOSFETS substrate contains electrons and electron holes. P-Channel MOSFETs are connected to a positive voltage. These MOSFETs turn on when the voltage supplied to the gate terminal is lower than the source voltage.

TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET

100% Rg tested

Relaterade länkar