Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 20.5 A -30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

15 780,00 kr

(exkl. moms)

19 740,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 6 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +5,26 kr15 780,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
252-0243
Tillv. art.nr:
SI4151DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

-30V

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.01mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

58nC

Maximal effektförlust Pd

5.6W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage. P-Channel MOSFETS substrate contains electrons and electron holes. P-Channel MOSFETs are connected to a positive voltage. These MOSFETs turn on when the voltage supplied to the gate terminal is lower than the source voltage.

TrenchFET power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar