Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -1.5 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSV AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0562
- Tillv. art.nr:
- BSV236SPH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
16,35 kr
(exkl. moms)
20,44 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 340 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,635 kr | 16,35 kr |
| 50 - 90 | 1,568 kr | 15,68 kr |
| 100 - 240 | 1,40 kr | 14,00 kr |
| 250 - 490 | 1,266 kr | 12,66 kr |
| 500 + | 1,187 kr | 11,87 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0562
- Tillv. art.nr:
- BSV236SPH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -1.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Serie | BSV | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -1.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Serie BSV | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-P is a Small-Signal-Transistor which is P-channel in Enhancement mode. The Super Logic Level (2.5 V rated). It is Avalanche rated and dv/dt rated.
VDS is 20 V, Rds(on) is 175 mΩ and Id is 1.5 A
150°C operating temperature
Maximum power dissipation is 560mW