Infineon BSS Type N-Channel MOSFET, 0.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS159NH6906XTSA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

18,57 kr

(exkl. moms)

23,21 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 47 710 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 453,714 kr18,57 kr
50 - 1203,204 kr16,02 kr
125 - 2453,024 kr15,12 kr
250 - 4952,80 kr14,00 kr
500 +2,598 kr12,99 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
250-0549
Tillv. art.nr:
BSS159NH6906XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

0.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

BSS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-499

The Infineon makes N-channel Depletion mode small signal MOSFET transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free. It is SIPMOS Small-Signal-Transistor. It is dv /dt rated, available with V GS(th) indicator on reel. It is 100% lead-free; Halogen-free.

VDS is 60 V, RDS(on),max 8 Ω and IDSS,min is 0.13 A

Maximum power dissipation is 360 mW

relaterade länkar