Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -0.39 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

20,38 kr

(exkl. moms)

25,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 740 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 902,038 kr20,38 kr
100 - 2401,938 kr19,38 kr
250 - 4901,232 kr12,32 kr
500 - 9901,019 kr10,19 kr
1000 +0,918 kr9,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
250-0521
Tillv. art.nr:
BSD223PH6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-0.39A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SOT-363

Serie

BSD

Fästetyp

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

1.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon highly innovative OptiMOS™ families include enhancement mode mosfet with Super logic level. It is avalanche and dv/dt rated. It offers fast switching. The device is Pb-free and Halogen-free. The Vds is -20 V, Rds(on) is 1.2 Ω while the Id is -0.39 A.

Consistently meet the highest quality and performance demands

Great on-state resistance and figure of merit characteristics