Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -0.39 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0520
- Tillv. art.nr:
- BSD223PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
2 298,00 kr
(exkl. moms)
2 874,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,766 kr | 2 298,00 kr |
| 6000 - 12000 | 0,728 kr | 2 184,00 kr |
| 15000 + | 0,697 kr | 2 091,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0520
- Tillv. art.nr:
- BSD223PH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -0.39A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Serie | BSD | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -0.39A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Serie BSD | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon highly innovative OptiMOS™ families include enhancement mode mosfet with Super logic level. It is avalanche and dv/dt rated. It offers fast switching. The device is Pb-free and Halogen-free. The Vds is -20 V, Rds(on) is 1.2 Ω while the Id is -0.39 A.
Consistently meet the highest quality and performance demands
Great on-state resistance and figure of merit characteristics