Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, AG-EASY1B, FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101

Antal (1 fack med 24 enheter)*

11 319,312 kr

(exkl. moms)

14 149,152 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
24 +471,638 kr11 319,31 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
250-0228
Tillv. art.nr:
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

15A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

AG-EASY1B

Serie

FS55MR12W1M1H_B11

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

114mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

81W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-10 V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC 60747, 60749 and 60068

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK™ 1B 1200 V / 55 mΩ sixpack module with CoolSiC™ MOSFET with enhanced generation 1, NTC and PressFIT Contact Technology.

Low inductive design

Low switching losses

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

PressFIT contact technology

Integrated NTC temperature sensor