Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

9 636,00 kr

(exkl. moms)

12 045,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 - 10009,636 kr9 636,00 kr
2000 +9,155 kr9 155,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
249-6901
Tillv. art.nr:
IPB35N10S3L26ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

35A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

81W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.

175°C operating temperature