Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 75 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 249-6874
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR2407TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
28,00 kr
(exkl. moms)
35,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 167 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 28,00 kr |
| 10 - 49 | 26,66 kr |
| 50 - 99 | 25,54 kr |
| 100 - 249 | 24,19 kr |
| 250 + | 22,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 249-6874
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR2407TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Serie AUIRFS | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in automotive and a wide variety of other applications.
Advance planner technology
LowOn-Resistance
Dynamic dV/dT Rating
175 C operating temperature
Fast switching