ROHM RW4E065GN Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 30 V Enhancement, 7-Pin HEML1616L7 RW4E065GNTCL1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

108,98 kr

(exkl. moms)

136,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4010,898 kr108,98 kr
50 - 9010,629 kr106,29 kr
100 - 2408,512 kr85,12 kr
250 - 9908,31 kr83,10 kr
1000 +7,515 kr75,15 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
249-1136
Tillv. art.nr:
RW4E065GNTCL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

HEML1616L7

Series

RW4E065GN

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM N channel power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application, has 30 V drain-source voltage and 6.5 A drain current, taping packing type.

Low on-resistance

Pb-free plating

RoHS compliant

Halogen free

relaterade länkar