ROHM RW4E065GN Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 30 V Enhancement, 7-Pin HEML1616L7

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

10 806,00 kr

(exkl. moms)

13 506,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,602 kr10 806,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
249-1135
Tillv. art.nr:
RW4E065GNTCL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

HEML1616L7

Series

RW4E065GN

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.3nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM N channel power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application, has 30 V drain-source voltage and 6.5 A drain current, taping packing type.

Low on-resistance

Pb-free plating

RoHS compliant

Halogen free

relaterade länkar