Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V P, 3-Pin TO-252 IPD80R1K2P7ATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

71,98 kr

(exkl. moms)

89,975 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 205 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4514,396 kr71,98 kr
50 - 12011,962 kr59,81 kr
125 - 24511,244 kr56,22 kr
250 - 49510,348 kr51,74 kr
500 +9,654 kr48,27 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-1596
Tillv. art.nr:
IPD80R1K2P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

P

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET 800V CoolMOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.

Best-in-class FOM RDS(on) * Eoss

Best-in-class DPAK RDS(on)

Best-in-class V(GS)th of 3V

Fully optimized portfolio

Integrated Zener Diode ESD protection

relaterade länkar