Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 180 A, 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD650P06NMATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

32,48 kr

(exkl. moms)

40,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 162 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1816,24 kr32,48 kr
20 - 4813,665 kr27,33 kr
50 - 9812,71 kr25,42 kr
100 - 19811,87 kr23,74 kr
200 +11,145 kr22,29 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-0880
Tillv. art.nr:
IPD650P06NMATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET OptiMOSTM Power Transistor has Pb-free lead plating, RoHS compliant and is halogen-free according to IEC61249-2-21.

P-Channel

Very low on-resistance RDS(on)

100% avalanche tested

Normal Level

Enhancement mode

relaterade länkar