Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 3 Ben, SOT-23

Mängdrabatt möjlig

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

156,80 kr

(exkl. moms)

196,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
50 - 753,136 kr
100 - 2251,989 kr
250 - 9751,944 kr
1000 +1,806 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
243-4864P
Tillv. art.nr:
PMV50XNEAR
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

13.6mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

81W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Nexperia N-channel enhancement mode field effect transistor (FET) in a small SOT23 surface mounted device (SMD) plastic package having trench MOSFET technology.

Low threshold voltage

Extended temperature range Tj = 175 °C

Trench MOSFET technology

Very fast switching

DC to DC conversion

High-speed line driver

Low-side load switch

Switching circuits