Nexperia, MOSFET, 10.3 A 30 V, TO-247
- RS-artikelnummer:
- 243-4620P
- Tillv. art.nr:
- GAN041-650WSBQ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Antal 5 enheter (levereras i ett rör)*
1 181,60 kr
(exkl. moms)
1 477,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 5 - 9 | 236,32 kr |
| 10 - 299 | 221,54 kr |
| 300 + | 217,17 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 243-4620P
- Tillv. art.nr:
- GAN041-650WSBQ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.6mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.6mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Nexperia Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies offering superior reliability and performance.
Ultra-low reverse recovery charge
Simple gate drive (0 V to +10 V or 12 V)
Robust gate oxide (±20 V capability)
High gate threshold voltage (+4 V) for very good gate bounce immunity
Very low source-drain voltage in reverse conduction mode
Transient over-voltage capability
Hard and soft switching converters for industrial and datacom power
Bridgeless totempole PFC
PV and UPS inverters
Servo motor drives