Vishay Typ N, Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
239-8641
Tillv. art.nr:
SIR182LDP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N, Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

130A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PowerPAK SO-8

Fästetyp

Yta, Ytmontering

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.00315Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

83W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

56nC

Maximal arbetstemperatur

125°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

5.15 mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® är en Gen IV Power N-Channel MOSFET som fungerar vid 60 V. Denna MOSFET används för strömförsörjning, motorstyrning och synkron utjämning.

Mycket lågt motstånd

UIS-testat