Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 218 A 100 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8DC AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

41 934,00 kr

(exkl. moms)

52 416,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +13,978 kr41 934,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
239-8616
Tillv. art.nr:
SiDR626LEP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

218A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

PowerPAK SO-8DC

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0021Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

46.1nC

Maximal effektförlust Pd

120W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

125°C

Bredd

5.15 mm

Längd

6.15mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 60 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for solar micro inverter, motor drive switch and synchronous rectification.

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Very low resistance

UIS tested

Relaterade länkar