STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 239-6329
- Tillv. art.nr:
- STD86N3LH5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
17 162,50 kr
(exkl. moms)
21 452,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 6,865 kr | 17 162,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 239-6329
- Tillv. art.nr:
- STD86N3LH5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | STD | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 70W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.2 mm | |
| Standarder/godkännanden | UL | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie STD | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Maximal effektförlust Pd 70W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.2 mm | ||
Standarder/godkännanden UL | ||
Höjd 2.4mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics MOSFET device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET H5 technology. This device has been optimized to achieve very low on-state resistance.
Low on-resistance RDSon
High avalanche ruggedness
Low gate drive power losses
30 V Vdss
80 A Id