Microchip TN5325 Type N-Channel MOSFET, 10.3 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-92 TN5325K1-G

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

137,75 kr

(exkl. moms)

172,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 255,51 kr137,75 kr
50 - 755,403 kr135,08 kr
100 - 2255,058 kr126,45 kr
250 - 9754,964 kr124,10 kr
1000 +4,861 kr121,53 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
239-5618
Tillv. art.nr:
TN5325K1-G
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Microchip

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

TN5325

Package Type

TO-92

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Microchip TN5325 series of low-threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilize a vertical DMOS structure and a well-proven silicon gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown.

Low threshold of maximum 2V

High input impedance and high gain

Rise Time of 15 ns

Turn-off Delay Time of 25 ns

Fall Time of 25 ns

relaterade länkar