Toshiba Type P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J338R,LF(T

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

1 651,10 kr

(exkl. moms)

2 063,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 200 enhet(er) från den 19 januari 2026
  • Dessutom levereras 400 enhet(er) från den 26 januari 2026
  • Dessutom levereras 12 000 enhet(er) från den 05 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 5033,022 kr1 651,10 kr
100 - 20029,391 kr1 469,55 kr
250 - 45028,762 kr1 438,10 kr
500 - 95028,134 kr1 406,70 kr
1000 +26,419 kr1 320,95 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-3569
Tillv. art.nr:
SSM3J338R,LF(T
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

26.3mΩ

Forward Voltage Vf

0.75V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.8mm

Standards/Approvals

No

Width

2.9 mm

Length

2.4mm

Automotive Standard

No

The Toshiba field effect transistor MADE up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

relaterade länkar