Toshiba Type P-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J356R,LF(T

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

101,00 kr

(exkl. moms)

126,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 150 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Dessutom levereras 50 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Dessutom levereras 2 750 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 502,02 kr101,00 kr
100 - 2001,796 kr89,80 kr
250 - 4501,763 kr88,15 kr
500 - 9501,729 kr86,45 kr
1000 +1,617 kr80,85 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-3573
Tillv. art.nr:
SSM3J356R,LF(T
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

400mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.3nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.4mm

Width

2.9 mm

Height

0.8mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.

Storage temperature range −55 to 150 °C

relaterade länkar