Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 100 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 232-6757
- Tillv. art.nr:
- ISC0802NLSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
28,78 kr
(exkl. moms)
35,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 934 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 14,39 kr | 28,78 kr |
| 20 - 48 | 12,88 kr | 25,76 kr |
| 50 - 98 | 12,04 kr | 24,08 kr |
| 100 - 198 | 11,20 kr | 22,40 kr |
| 200 + | 10,47 kr | 20,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 232-6757
- Tillv. art.nr:
- ISC0802NLSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 150A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.8mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5.35mm | |
| Längd | 6.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 150A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.8mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5.35mm | ||
Längd 6.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 100 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's SuperSO8 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.
Logic level availability
Excellent thermal behaviour
100% avalanche tested
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 150 A 100 V SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 71 A 100 V SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 59 A 100 V SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 37 A 100 V SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 66 A 80 V SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 97 A 100 V SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 57 A 60 V SO-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal 135 A 60 V SO-8, OptiMOS 5
