Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 66 A, 80 V, 8-Pin SO-8 ISC0602NLSATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

114,21 kr

(exkl. moms)

142,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 995 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4522,842 kr114,21 kr
50 - 12020,586 kr102,93 kr
125 - 24519,196 kr95,98 kr
250 - 49517,83 kr89,15 kr
500 +16,666 kr83,33 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
232-6749
Tillv. art.nr:
ISC0602NLSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

OptiMOS 5

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.5mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

60W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

1.2 mm

Length

6.1mm

Height

5.35mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 80 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's SuperSO8 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

relaterade länkar