Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 18.7 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si4090BDY-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

91,39 kr

(exkl. moms)

114,24 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4518,278 kr91,39 kr
50 - 24516,42 kr82,10 kr
250 - 49514,604 kr73,02 kr
500 - 124513,686 kr68,43 kr
1250 +9,14 kr45,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2821
Tillv. art.nr:
Si4090BDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

18.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

7.4W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.75mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar