Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 100 V, 3 Ben, TO-220, N-Channel 100 V
- RS-artikelnummer:
- 225-9972
- Tillv. art.nr:
- SUP70042E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
211,79 kr
(exkl. moms)
264,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 25 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 405 enhet(er) från den 08 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 42,358 kr | 211,79 kr |
| 50 - 120 | 38,148 kr | 190,74 kr |
| 125 - 245 | 36,02 kr | 180,10 kr |
| 250 - 495 | 33,892 kr | 169,46 kr |
| 500 + | 31,36 kr | 156,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 225-9972
- Tillv. art.nr:
- SUP70042E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 150A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | N-Channel 100 V | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 84nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 278W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 29.51mm | |
| Höjd | 4.65mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 150A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie N-Channel 100 V | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 84nC | ||
Maximal effektförlust Pd 278W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 29.51mm | ||
Höjd 4.65mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
TrenchFET power MOSFET
Maximum 175 °C junction temperature
Very low Qgd reduces power loss from passing through V(plateau)
100 % Rg and UIS tested
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal 150 A 100 V TO-220, N-Channel 100 V
- Vishay Typ N Kanal 150 A 100 V TO-263, N-Channel 100 V
- Vishay Typ N Kanal 299 A 80 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V
- Vishay Typ N Kanal 110 A 100 V SO-8, N-Channel 100 V
- Vishay Typ N Kanal 70.2 A 150 V SO-8, N-Channel 150 V
- Vishay Typ N Kanal 59.7 A 150 V SO-8, N-Channel 150 V
- Vishay Typ N Kanal 9 A 100 V N SC-70, N-Channel 100 V AEC-Q101
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-220 IPP034NE7N3GXKSA1
