Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Avskrivningar, 4 Ben, SOT-223, BSS123I

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

1 284,00 kr

(exkl. moms)

1 605,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30000,428 kr1 284,00 kr
6000 - 120000,407 kr1 221,00 kr
15000 +0,39 kr1 170,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
225-0556
Tillv. art.nr:
BSS123IXTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

190mA

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

BSS123I

Kapseltyp

SOT-223

Fästetyp

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

10Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Maximal effektförlust Pd

0.5W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.63nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.7mm

Bredd

3.7 mm

Höjd

1.8mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon BSS123I är en N- och P-kanalig MOSFET med liten signal och liten effekt som ger ett brett utbud av VGS(th)-nivåer och RDS(on)-värden samt flera spänningsklasser. Denna MOSFET har alternativ för förstärknings- och utarmningsläge.

PCB-utrymme och kostnadsbesparingar

Flexibilitet för grindstyrning

Minskad komplexitet i konstruktionen

Miljövänligt

Hög total effektivitet