Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET-arrayer, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 223-8521
- Tillv. art.nr:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
18 545,00 kr
(exkl. moms)
23 180,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 3,709 kr | 18 545,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 223-8521
- Tillv. art.nr:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET-arrayer | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 26mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 33W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 5.9 mm | |
| Längd | 5.15mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET-arrayer | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 26mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximal effektförlust Pd 33W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 5.9 mm | ||
Längd 5.15mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS series dual N-channel MOSFET has drain to source voltage of 60 V. It has benefits of larger source lead frame connection for wire bonding and bond wire is 200um for up to 20A current.
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package
Ultra low Rds
100% Avalanche tested