Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 223-8457
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR5305TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
134,40 kr
(exkl. moms)
168,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 11 600 enhet(er) levereras från den 27 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 26,88 kr | 134,40 kr |
| 25 - 45 | 23,386 kr | 116,93 kr |
| 50 - 120 | 22,042 kr | 110,21 kr |
| 125 - 245 | 20,428 kr | 102,14 kr |
| 250 + | 19,084 kr | 95,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 223-8457
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR5305TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon automotive qualified single P-channel HEXFET power MOSFET in a D2-pak package. The cellular design of power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. It is used in automotive and wide variety of applications because of fast switching speed and ruggedized device.
Advanced planar technology
Dynamic dV/dT rating
175°C operating temperature
Fast switching
Lead free
RoHS compliant