Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 223-8452
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7341QTR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
34 240,00 kr
(exkl. moms)
42 800,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 12 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 8,56 kr | 34 240,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 223-8452
- Tillv. art.nr:
- AUIRF7341QTR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 500mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 3 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4 mm | |
| Längd | 5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 500mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 3 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4 mm | ||
Längd 5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon HEXFET power MOSFET in a dual SO-8 package utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. The efficient SO-8 package provides enhanced thermal characteristics and dual MOSFET die capability making it ideal in a variety of power applications.
Advanced planar technology
Dynamic dV/dT rating
Logic level gate drive
175°C operating temperature
Fast switching
Lead free
RoHS compliant
Automotive qualified