Infineon IPT60R Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R080G7XTMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

143,97 kr

(exkl. moms)

179,962 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 982 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 871,985 kr143,97 kr
10 - 1861,88 kr123,76 kr
20 - 4857,51 kr115,02 kr
50 - 9853,985 kr107,97 kr
100 +49,67 kr99,34 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4940
Tillv. art.nr:
IPT60R080G7XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

HSOF

Series

IPT60R

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.1mm

Width

10.58 mm

Height

2.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET series (G7) brings together the benefits of the improved 600V CoolMOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC) up to 3kW and for resonant circuits such as high end LLC.

Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G

Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint

relaterade länkar