Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET, 17 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R125C7AUMA1

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

94,83 kr

(exkl. moms)

118,538 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 480 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1847,415 kr94,83 kr
20 - 4843,12 kr86,24 kr
50 - 9840,375 kr80,75 kr
100 - 19837,35 kr74,70 kr
200 +34,55 kr69,10 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4914
Tillv. art.nr:
IPL60R125C7AUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

ThinPAK

Series

IPL60R

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

103W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

8.1mm

Height

1.1mm

Width

8.1 mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.

Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss

Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)

Increased switching frequency

Best R (on)*A in the world

Rugged body diode

relaterade länkar