Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD50R
- RS-artikelnummer:
- 222-4902
- Tillv. art.nr:
- IPD60R180C7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
135,07 kr
(exkl. moms)
168,84 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 27,014 kr | 135,07 kr |
| 25 - 45 | 23,766 kr | 118,83 kr |
| 50 - 120 | 22,154 kr | 110,77 kr |
| 125 - 245 | 20,54 kr | 102,70 kr |
| 250 + | 19,196 kr | 95,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4902
- Tillv. art.nr:
- IPD60R180C7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | IPD50R | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 180mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie IPD50R | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 180mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Höjd 2.41mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Bredd 6.22 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.
Enables increasing switching frequency without loss in efficiency
Measure showing key parameter for light load and full load efficiency
Doubling the switching frequency will half the size of magnetic components
Smaller packages for same R DS(on)
Can be used in many more positions for both hard and soft switching topologies