Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IPA60R

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

31 009,00 kr

(exkl. moms)

38 761,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 14 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +31,009 kr31 009,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4888
Tillv. art.nr:
IPB60R055CFD7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

38A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

IPA60R

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

55mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R055CFD7 in D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.

Ultra-fast body diode

Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness

Lowest FOM RDS(on) x Qg and EOSS

Best-in-class RDS(on)/package combinations