Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- RS-artikelnummer:
- 222-4879
- Tillv. art.nr:
- IPA60R600P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
322,55 kr
(exkl. moms)
403,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 6,451 kr | 322,55 kr |
| 100 - 200 | 5,031 kr | 251,55 kr |
| 250 - 450 | 4,708 kr | 235,40 kr |
| 500 - 1200 | 4,386 kr | 219,30 kr |
| 1250 + | 4,063 kr | 203,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4879
- Tillv. art.nr:
- IPA60R600P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IPA60R | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IPA60R | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)
Integrated gate resistor RG
Rugged body diode
Wide portfolio in through hole and surface mount packages
Both standard grade and industrial grade parts are available