Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPA60R
- RS-artikelnummer:
- 222-4878
- Tillv. art.nr:
- IPA60R160P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
160,61 kr
(exkl. moms)
200,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 260 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 32,122 kr | 160,61 kr |
| 25 - 45 | 28,918 kr | 144,59 kr |
| 50 - 120 | 26,992 kr | 134,96 kr |
| 125 - 245 | 25,38 kr | 126,90 kr |
| 250 + | 23,43 kr | 117,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4878
- Tillv. art.nr:
- IPA60R160P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IPA60R | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IPA60R | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)
Integrated gate resistor RG
Rugged body diode
Wide portfolio in through hole and surface mount packages
Both standard grade and industrial grade parts are available