Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 557 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET

RS-artikelnummer:: 222-4755
Tillv. art.nr:: IRL40SC228
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 557 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

220,42 kr

(exkl. moms)

275,525 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 360 enhet(er) från den 23 mars 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 20	44,084 kr	220,42 kr
25 - 45	37,05 kr	185,25 kr
50 - 120	34,384 kr	171,92 kr
125 - 245	32,166 kr	160,83 kr
250 +	29,972 kr	149,86 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 222-4755
Tillv. art.nr:: IRL40SC228
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	557A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	TO-263
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	7
	Maximal drain-källresistans Rds	0.65mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	307nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Maximal effektförlust Pd	416W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	4.83 mm
	Höjd	4.83mm
	Längd	10.54mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 557A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp TO-263
	Fästetyp Yta
	Antal ben 7
	Maximal drain-källresistans Rds 0.65mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 307nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Maximal effektförlust Pd 416W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 4.83 mm
	Höjd 4.83mm
	Längd 10.54mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRL40SC228

Infineon HEXFET Series MOSFET, 557A Maximum Continuous Drain Current, 40V Maximum Drain Source Voltage - IRL40SC228

This high power MOSFET is designed for various applications requiring robust performance and efficiency. It features a compact D2PAK-7 surface mount package, ensuring convenient installation in space-constrained environments. With a continuous drain current capability of 557A and a maximum drain-source voltage of 40V, its dimensions measure 10.54mm in length, 9.65mm in width, and 4.83mm in height.

Features & Benefits

• Optimised for logic level drive for enhanced compatibility

• Low RDS(on) of 0.50mΩ for reduced power loss

• High current capacity up to 557A for demanding applications

• Versatile applications in motor drives and power supplies

Applications

• Suitable for brushed and BLDC motor drive circuits

• Ideal for battery-powered electronic systems

• Utilised in half-bridge and full-bridge circuit topologies

• Effective as a synchronous rectifier in power supply

• Used in DC-DC and AC-DC converters

What are the key benefits of using this device in high-current applications?

The device's low on-resistance significantly improves efficiency, allowing for higher current flow without substantial heat generation. This supports reliability and performance in demanding situations where current capacity is critical.

How does this MOSFET perform under high temperature conditions?

It operates effectively across a wide temperature range from -55°C to +175°C, ensuring stability and functionality even under extreme operating conditions.

What features enhance the robustness of this MOSFET during operation?

Enhanced gate and avalanche ruggedness protect it from voltage spikes, while its low dynamic dV/dt capabilities contribute to consistent performance in rapidly changing conditions.