Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 222-4735
- Tillv. art.nr:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
115,47 kr
(exkl. moms)
144,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 240 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 14 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 11,547 kr | 115,47 kr |
| 50 - 90 | 10,965 kr | 109,65 kr |
| 100 - 240 | 10,494 kr | 104,94 kr |
| 250 - 490 | 10,035 kr | 100,35 kr |
| 500 + | 9,352 kr | 93,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4735
- Tillv. art.nr:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 170W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 76nC | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Bredd | 9.65 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 170W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 76nC | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Bredd 9.65 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Advanced process technology
Ultra-low on-resistance Fast switching
Lead-Free, RoHS Compliant