Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3205ZSTRLPBF

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

159,20 kr

(exkl. moms)

199,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 060 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4015,92 kr159,20 kr
50 - 9015,131 kr151,31 kr
100 - 24014,493 kr144,93 kr
250 - 49013,854 kr138,54 kr
500 +12,902 kr129,02 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4735
Tillv. art.nr:
IRF3205ZSTRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

76nC

Standards/Approvals

No

Height

4.83mm

Length

10.67mm

Width

9.65 mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Advanced process technology

Ultra-low on-resistance Fast switching

Lead-Free, RoHS Compliant

relaterade länkar