Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4700
- Tillv. art.nr:
- IPP60R099C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
106,85 kr
(exkl. moms)
133,562 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 262 enhet(er) från den 02 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 53,425 kr | 106,85 kr |
| 20 - 48 | 50,735 kr | 101,47 kr |
| 50 - 98 | 46,425 kr | 92,85 kr |
| 100 - 198 | 40,095 kr | 80,19 kr |
| 200 + | 37,015 kr | 74,03 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4700
- Tillv. art.nr:
- IPP60R099C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 22A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 99mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 22A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 99mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Höjd 4.57mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Superior thermal resistance 100% avalanche tested
Halogen-free according to IEC61249-2-23
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 22 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 16 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 19 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 37.9 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 9 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 31 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 10 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 7 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS C7
