Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4689
- Tillv. art.nr:
- IPN80R2K4P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
139,22 kr
(exkl. moms)
174,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 5 760 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 6,961 kr | 139,22 kr |
| 100 - 180 | 5,421 kr | 108,42 kr |
| 200 - 480 | 5,079 kr | 101,58 kr |
| 500 - 980 | 4,732 kr | 94,64 kr |
| 1000 + | 4,391 kr | 87,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4689
- Tillv. art.nr:
- IPN80R2K4P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.3W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Bredd | 3.7 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 6.3W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.8mm | ||
Bredd 3.7 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon design of Cool MOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.
Product validation acc. JEDEC Standard
Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode
Excellent thermal behaviour