Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 2.5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R2K4P7ATMA1

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

151,70 kr

(exkl. moms)

189,62 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 760 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 807,585 kr151,70 kr
100 - 1805,914 kr118,28 kr
200 - 4805,539 kr110,78 kr
500 - 9805,158 kr103,16 kr
1000 +4,777 kr95,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4689
Tillv. art.nr:
IPN80R2K4P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

CoolMOS

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

6.3W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.7mm

Height

1.8mm

Width

3.7 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

relaterade länkar