Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4687
- Tillv. art.nr:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
137,30 kr
(exkl. moms)
171,625 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 500 enhet(er) från den 12 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 5,492 kr | 137,30 kr |
| 125 - 225 | 4,122 kr | 103,05 kr |
| 250 - 600 | 3,902 kr | 97,55 kr |
| 625 - 1225 | 3,633 kr | 90,83 kr |
| 1250 + | 3,351 kr | 83,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4687
- Tillv. art.nr:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.3W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Bredd | 3.7 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16 V | ||
Maximal effektförlust Pd 6.3W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.8mm | ||
Bredd 3.7 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.
Product validation acc. JEDEC Standard
Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode
Excellent thermal behaviour