Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4673
- Tillv. art.nr:
- IPD60R280P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
137,09 kr
(exkl. moms)
171,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 700 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 13,709 kr | 137,09 kr |
| 50 - 90 | 13,026 kr | 130,26 kr |
| 100 - 240 | 12,477 kr | 124,77 kr |
| 250 - 490 | 11,917 kr | 119,17 kr |
| 500 + | 11,099 kr | 110,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4673
- Tillv. art.nr:
- IPD60R280P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 280mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 53W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 53W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Bredd 6.22 mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Green Product (RoHS compliant)
MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified
OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications