Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4669
- Tillv. art.nr:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
73,25 kr
(exkl. moms)
91,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 11 360 enhet(er) levereras från den 19 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 7,325 kr | 73,25 kr |
| 50 - 90 | 6,966 kr | 69,66 kr |
| 100 - 240 | 6,664 kr | 66,64 kr |
| 250 - 490 | 6,384 kr | 63,84 kr |
| 500 + | 5,925 kr | 59,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4669
- Tillv. art.nr:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 94W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.5mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 94W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.5mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.22 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Green Product (RoHS compliant)
MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified
OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications