Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

191,65 kr

(exkl. moms)

239,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 503,833 kr191,65 kr
100 - 2003,571 kr178,55 kr
250 - 4503,476 kr173,80 kr
500 - 12003,387 kr169,35 kr
1250 +3,304 kr165,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4643
Tillv. art.nr:
IPA70R900P7SXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

TO-220

Serie

CoolMOS

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

900mΩ

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Extremely low losses due to very low FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss)

Integrated ESD protection diode