Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

893,75 kr

(exkl. moms)

1 117,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
50 - 5017,875 kr893,75 kr
100 - 20016,088 kr804,40 kr
250 +15,194 kr759,70 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4641
Tillv. art.nr:
IPA60R180C7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-220

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

Capable of reverse conduction

Low gate charge, low output charge

Superior commutation ruggedness

Qualified for standard grade applications according to JEDEC standards

relaterade länkar