Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4641
- Tillv. art.nr:
- IPA60R180C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
893,75 kr
(exkl. moms)
1 117,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 17,875 kr | 893,75 kr |
| 100 - 200 | 16,088 kr | 804,40 kr |
| 250 + | 15,194 kr | 759,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4641
- Tillv. art.nr:
- IPA60R180C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 180mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 180mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon design of Cool MOS™ C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².
Capable of reverse conduction
Low gate charge, low output charge
Superior commutation ruggedness
Qualified for standard grade applications according to JEDEC standards
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 9 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 22 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 16 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 19 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 37.9 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 31 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 10 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 7 A 650 V Förbättring TO-220, CoolMOS C7
