Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 55 V Förbättring, 8 Ben, DSO, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4623
- Tillv. art.nr:
- BSO604NS2XUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
20 645,00 kr
(exkl. moms)
25 805,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 500 enhet(er) levereras från den 07 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 8,258 kr | 20 645,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4623
- Tillv. art.nr:
- BSO604NS2XUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | DSO | |
| Serie | OptiMOS | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19.7nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Höjd | 1.47mm | |
| Bredd | 3.94 mm | |
| Längd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp DSO | ||
Serie OptiMOS | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19.7nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Höjd 1.47mm | ||
Bredd 3.94 mm | ||
Längd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Logic level
Enhancement Mode Green Product (RoHS compliant)
AEC Qualified